Auf der Platine eines Geräts N brannte der IRF4905-Transistor so stark aus, dass er Risse bekam und es möglich wurde, seine interne Struktur zu betrachten.
IRF4905-Eigenschaften gemäß Dokumentation: P-Kanal-Feldeffekttransistor. Gleichstrom bei 20 C - 74 A, pulsierender Strom bis 260 A. Einschaltwiderstand - 0,02 Ohm. Ein niedriger Widerstand wird durch die HEXFET-Technologie erreicht, deren Kern darin besteht, dass ein Feldeffekttransistor kein einzelner Transistor ist, sondern viele (Hunderttausende) kleiner Feldeffekttransistoren, die parallel geschaltet sind.
Die maximale Verlustleistung des Transistors beträgt 200 W. Als Beweis für solch großartige Indikatoren - ein ausgebrannter Textolit und ein gerissener Transistor (bis zuletzt durchgehalten).
Der Kristall selbst hat eine Fläche von 24 mm2. Kristalldicke 0,3 mm. Auf Eutektikum gelötet.
Das Schweißen erfolgt mit Aluminiumdraht. Darauf ist eine gelbliche Blüte sichtbar - dies sind Kohlenstoffablagerungen. Die Steuerelektrode hat einen Durchmesser von ca. 50 µm und drei dicke Drähte mit einem Durchmesser von jeweils 0,5 mm. Der dicke Draht zeigt eine Spur vom Schweißwerkzeug.
Schematisch sieht die HEXFET-Technologie von International Rectifier folgendermaßen aus:
Der Dokumentation zufolge ist der IRF4905-Transistor in der fünften Generation der HEXFET-Technologie implementiert.
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So sieht die Topologie der FET-Matrix aus.
Ich habe versucht, die obere Metallisierungsschicht mit Ammoniumpersulfat abzubluten. Es stellte sich als schmutzig heraus, aber die klaren Konturen der sechseckigen Form wurden sichtbar. Die ungefähren Abmessungen der Sechsecke betragen 5 bis 7 Mikrometer (dies sind 5000 bis 7000 nm).
Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit.